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北方华创化合物半导体解决方案助力小器件大发展

 跟着5G通讯商业化过程的赓续加快,人工智能、3D传感器、IoT、云计算、电动汽车、轨道交通、充电桩等利用赓续深入人类生活的方方面面,化合物半导体对人类社会和科技发展影响越来越巨大。


  在化合物半导体领域中,GaN器件能够实现下一代高频通讯网络所需的高功率请求,跟着5G通讯、智能物联网等新兴技巧的蓬勃发展,GaN器件利用前景广阔。


  南方华创针对GaN器件的正面刻蚀工艺,自主研发了GSE C200系列单片ICP刻蚀机,针对不同的GaN器件结构,可实现同时统筹产能与部门特定器件低速、低毁伤刻蚀请求。南方华创研发的奇特“逐层刻蚀”技巧,具备刻蚀速度与刻蚀深度准确可控、平均性好、外面粗糙度小、刻蚀毁伤低、无ARDE效应等优点。GSE C200系列单片ICP刻蚀机,兼容8 inch及以下晶圆尺寸,其灵活的设置装备摆设可满足研发/中试线/量产的请求。